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HTEH20120H-1R0MSR是Cyntec（乾坤）推出的屏蔽型、金屬磁芯、表面貼裝功率電感器，專為高電流應用設計，適用于筆記本CPU供電等薄型DC-DC轉(zhuǎn)換場合。

在全球芯片供應鏈波動背景下，國產(chǎn)電源模塊MUN3C1HR6-SB成為TI、ADI等大廠產(chǎn)品的理想替代選擇。它能替代TPS82671等多款型號，在輸入電壓、輸出電壓、封裝尺寸等關鍵參數(shù)上精準匹配，具有供應鏈穩(wěn)定、成本低廉及本土化支持等優(yōu)勢。

MGDM-155S是GAIA公司專為軍工、航空航天等極端環(huán)境設計的高可靠性DC-DC電源模塊，具備155-480VDC超寬輸入、-55℃至+105℃寬溫工作能力

HMC641A-Die是ADI基于GaAs MMIC工藝打造的高性能單刀四擲非反射式射頻開關，覆蓋0.1至18/20GHz寬頻段，具有低插入損耗、高隔離度及50Ω匹配特性

若需替代EUVIS的MD663B高速12位DAC，TI的DAC8881雖未明確達到10GSPS采樣率，但其高速、高分辨率特性可能適配部分場景；ADI的AD5791雖為20位高精度DAC，但建立時間短、頻譜密度低，適合對分辨率要求不苛刻的高速應用；

AT84AS001是E2V品牌推出的高性能12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器，有500 MSPS采樣率、低功耗及1.5 GHz全功率輸入帶寬等特性。

342A024-12-0是TE Connectivity（Raychem 瑞侃）推出的高溫熱縮型電纜分支模制件，采用耐高溫改性彈性體材料，45°側(cè)分線點設計，具備耐腐蝕、抗振動特性，工作溫度范圍廣

646482-2是TE Connectivity推出的硬公制背板連接器護罩，采用B22型結(jié)構(gòu)與154個2.00mm間距公制針腳（5+2排布局），支持通孔式安裝，具備高密度信號傳輸能力。

1658682 - 1是TE Connectivity（Raychem瑞侃）生產(chǎn)的AMPLIMITE HDP - 22系列D - Sub高密度連接器外殼，有26個觸點位置，采用鋼制鍍錫外殼、2號尺寸，支持面板或電纜安裝、壓接端接，為3排黑色信號觸點，絕緣體是聚乙烯，工作溫度-55°C至105°C，額定電壓250VAC，阻燃等級UL 94V - 0且符合RoHS標準。

北京中科昊芯推出的 HXS320F28035 是 HX2000 系列 32 位浮點 RISC-V 架構(gòu)數(shù)字信號控制器，基于自研 H28x 內(nèi)核，專為工業(yè)控制等高實時性場景設計，可替代傳統(tǒng) DSP 方案。

PMS152G 是應廣科技推出的 8 位 OTP I/O 型“SuLED”系列單片機，以“多路 11 位 PWM+高灌電流 I/O”為核心，具備 1.25KW OTP 程序空間、80Byte SRAM 等硬件資源

PT32L076 是澎湃微電子推出的 32 位超低功耗高性能基于 ARM Cortex-M0 內(nèi)核的 MCU，適用于電池供電設備。它主頻最高 64MHz，F(xiàn)lash 存儲和 RAM 有多種容量可選，工作電壓范圍廣、溫度適應性強，外設資源豐富

Leadway電源模塊兼容性極強，關鍵參數(shù)與封裝高度兼容國際品牌，如輸入輸出等核心指標一致，采用相同封裝形式，實例中可原位替代Murata村田、TI等產(chǎn)品且無需調(diào)整電氣參數(shù)、物理尺寸和引腳定義；

Leadway電源模塊由深圳立維創(chuàng)展科技推出，性能上與國際品牌核心參數(shù)一致，部分更優(yōu)，效率高、MTBF長且支持寬壓輸入；性價比突出，價格低40%，交貨快、供應穩(wěn)；安全保護完備，有多重保護與多項認證；兼容性強，可原位替代國際品牌并支持使能信號控制；

Leadway電源模塊由深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司推出，性價比極高。它性能對標Murata村田等國際品牌，在關鍵指標上保持一致水準且全面優(yōu)化；價格優(yōu)勢顯著，批量采購價僅為國際品牌同款的60%左右；兼容性強，可原位替代知名品牌產(chǎn)品

Leadway GaN系列模塊以120W/in3功率密度為核心，借助GaN材料特性突破實現(xiàn)高頻低損耗，通過磁集成與拓撲優(yōu)化壓縮體積，采用封裝與散熱創(chuàng)新確保穩(wěn)定性，體積縮減40%、效率達92%+。

Leadway 電機方案核心技術(shù)以“全國產(chǎn)器件 + 高功率密度電源模塊”為基礎，結(jié)合電路優(yōu)化、散熱及信號處理技術(shù)，形成高穩(wěn)定性、高性價比、小型化電機驅(qū)動與控制系統(tǒng)方案。

GaN（氮化鎵）技術(shù)基于寬禁帶半導體材料，在高頻、高效、大功率及高溫環(huán)境下表現(xiàn)卓越，相比傳統(tǒng)方案優(yōu)勢顯著：電子遷移率高、帶隙寬，可提升功率密度，實現(xiàn)設備小型化；開關頻率高、損耗低，能效提升；